FDS8978 vs FDS8960C

Dieser detaillierte Vergleich von FDS8978 und FDS8960C bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS8978

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4738 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
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Specification FDS8978 FDS8960C
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Series PowerTrench® -
FET Type 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7.5A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 18mOhm @ 7.5A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 26nC @ 10V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1270pF @ 15V -
Power - Max 1.6W -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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