FDS9958 vs FDS9953A
Dieser detaillierte Vergleich von FDS9958 und FDS9953A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
-
Obsolete
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
-
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
3.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
185pF @ 15V
Power - Max
-
900mW
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Surface Mount
Base Product Number
-
FDS99
ProductStatus
Active
-
FETType
2 P-Channel (Dual)
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.9A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
105mOhm @ 2.9A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
23nC @ 10V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1020pF @ 30V
-
Power-Max
900mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
