FDY3000NZ vs FDY300NZ Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von FDY3000NZ und FDY300NZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDY3000NZ

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6144 Stückzahl | Fairchild Halbleiter
FDY300NZ

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3484 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-563 SOT-523-3
Beschreibung SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 600mA 600mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.3V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V 1.1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 60pF @ 10V 60 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) - 625mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
FET Feature Logic Level Gate -
Power - Max 446mW -
Vergleichsmodell : FDY3000NZ FDY300NZ

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