FGA40T65SHD vs FGA40N65SMD

Dieser detaillierte Vergleich von FGA40T65SHD und FGA40N65SMD bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FGA40T65SHD FGA40N65SMD
Part Status Active Active
IGBT Type Trench Field Stop Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V 650 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.1V @ 15V, 40A 2.5V @ 15V, 40A
Power - Max 268 W 349 W
Switching Energy 1.01mJ (on), 297µJ (off) 820µJ (on), 260µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 72.2 nC 119 nC
Td(on / off) @ 25°C 19.2ns/65.6ns 12ns/92ns
Test Condition 400V, 40A, 6Ohm, 15V 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 31.8 ns 42 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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