FGH40N60SMDF vs FGH40N120ANTU

Dieser detaillierte Vergleich von FGH40N60SMDF und FGH40N120ANTU bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH40N60SMDF

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3198 Stückzahl
Package: TO-247
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

FGH40N120ANTU

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4463 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	FGH40N60SMDF	FGH40N120ANTU
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status	Active	Obsolete
IGBT Type	Field Stop	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	1200 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	64 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	160 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.5V @ 15V, 40A	3.2V @ 15V, 40A
Power - Max	349 W	417 W
Switching Energy	1.3mJ (on), 260µJ (off)	2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	119 nC	220 nC
Td(on / off) @ 25°C	12ns/92ns	15ns/110ns
Test Condition	400V, 40A, 6Ohm, 15V	600V, 40A, 5Ohm, 15V
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Reverse Recovery Time (trr)	90 ns	-
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-

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