FGH40N60SMDF vs FGH40T120SMD Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von FGH40T120SMD und FGH40N60SMDF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FGH40T120SMD

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2036 Stückzahl | Fairchild Halbleiter
FGH40N60SMDF

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3198 Stückzahl | Onsemi
Paket TO-247 TO-247
Beschreibung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Part Status Active Active
IGBT Type Trench Field Stop Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.4V @ 15V, 40A 2.5V @ 15V, 40A
Power - Max 555 W 349 W
Switching Energy 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 370 nC 119 nC
Td(on / off) @ 25°C 40ns/475ns 12ns/92ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 65 ns 90 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : FGH40T120SMD FGH40N60SMDF

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