FGH40T120SMD vs FGH40N6S2

Dieser detaillierte Vergleich von FGH40T120SMD und FGH40N6S2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FGH40T120SMD FGH40N6S2
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 75 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.4V @ 15V, 40A 2.7V @ 15V, 20A
Power - Max 555 W 290 W
Switching Energy 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) 115µJ (on), 195µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 370 nC 35 nC
Td(on / off) @ 25°C 40ns/475ns 8ns/35ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop -
Reverse Recovery Time (trr) 65 ns -
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