FGH40T120SMD vs FGH40T65UPD Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von FGH40T120SMD und FGH40T65UPD bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-247
TO-247-3
Beschreibung
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status
Active
Obsolete
IGBT Type
Trench Field Stop
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
1200 V
650 V
Current - Collector(Ic)(Max)
80 A
80 A
Current - Collector Pulsed(Icm)
160 A
120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic
2.4V @ 15V, 40A
2.3V @ 15V, 40A
Power - Max
555 W
268 W
Switching Energy
2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
1.59mJ (on), 580µJ (off)
Input Type
Standard
Standard
Gate Charge
370 nC
177 nC
Td(on / off) @ 25°C
40ns/475ns
20ns/144ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
400V, 40A, 7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
65 ns
43 ns
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
