GD25Q128ESIGR vs GD25Q16CSIG Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von GD25Q16CSIG und GD25Q128ESIGR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
GD25Q16CSIG

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7486 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q128ESIGR

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6698 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP 128MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 20
Part Status Not For New Designs Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 16Mb (2M x 8) 128Mb (16M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 120 MHz 133 MHz
Write Cycle Time - Word Page 50µs, 2.4ms 70µs, 2.4ms
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Access Time - 7 ns
Vergleichsmodell : GD25Q16CSIG GD25Q128ESIGR

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