GD25Q16CSIGR vs GD25Q32ETIGR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von GD25Q32ETIGR und GD25Q16CSIGR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
GD25Q32ETIGR

+Stückliste

2436 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIGR

+Stückliste

2672 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung 32MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 150 IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP
Part Status Active Not For New Designs
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 32Mb (4M x 8) 16Mb (2M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 133 MHz 120 MHz
Write Cycle Time - Word Page 70µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms
Access Time 7 ns -
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : GD25Q32ETIGR GD25Q16CSIGR

+Stückliste Anfrage