GD25Q32ESIGR vs GD25Q64ESIGR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von GD25Q64ESIGR und GD25Q32ESIGR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
GD25Q64ESIGR

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5012 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32ESIGR

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2440 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket SOP-8 SOP-8
Beschreibung 64MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208 32MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 64Mb (8M x 8) 32Mb (4M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 133 MHz 133 MHz
Write Cycle Time - Word Page 70µs, 2.4ms 70µs, 2.4ms
Access Time 7 ns 7 ns
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : GD25Q64ESIGR GD25Q32ESIGR

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