GD25Q40CTIGR vs GD25Q16CSJGR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von GD25Q16CSJGR und GD25Q40CTIGR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
GD25Q16CSJGR

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6673 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIGR

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7421 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP
Part Status Not For New Designs Not For New Designs
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 16Mb (2M x 8) 4Mb (512K x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 120 MHz 104 MHz
Write Cycle Time - Word Page 50µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 105°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : GD25Q16CSJGR GD25Q40CTIGR

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