GD25Q16CSJGR vs GD25Q80ESIGR

Dieser detaillierte Vergleich von GD25Q16CSJGR und GD25Q80ESIGR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification GD25Q16CSJGR GD25Q80ESIGR
Part Status Not For New Designs Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 16Mb (2M x 8) 8Mb (1M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 120 MHz 133 MHz
Write Cycle Time - Word Page 50µs, 2.4ms 70µs, 2ms
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 105°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Access Time - 7 ns
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