IR2101S vs IR2101STRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IR2101S und IR2101STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IR2101S

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
7072 Stückzahl
Series
Power Management (PMIC.Gate Drivers)
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Specification IR2101S IR2101STRPBF
Part Status Obsolete Active
Base Product Number IR2101 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH 0.8V, 3V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 210mA, 360mA -
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 100ns, 50ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tube -
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink) - 210mA, 360mA
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 100ns, 50ns
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