IR2104PBF vs IR2106PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IR2104PBF und IR2106PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2104PBF

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1701 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2106PBF

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7965 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket PDIP8 PDIP-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
ProductStatus Not For New Designs Last Time Buy
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.9V
Current-PeakOutput(SourceSink) 210mA, 360mA 200mA, 350mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 100ns, 50ns 150ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : IR2104PBF IR2106PBF

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