IR2110PBF vs IR2111

Dieser detaillierte Vergleich von IR2110PBF und IR2111 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

IR2111

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
5050 Stückzahl
Package
DIP-8
Series
PMIC-Treiber
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Specification IR2110PBF IR2111
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 500 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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