IR2110PBF vs IR2112-2 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IR2110PBF und IR2112-2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
DIP-14
DIP-16
Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16DIP
Part Status
Active
Obsolete
Driven Configuration
Half-Bridge
High-Side or Low-Side
Channel Type
Independent
Independent
Number of Drivers
2
2
Gate Type
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
3.3V ~ 20V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
6V, 9.5V
6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink)
2A, 2A
250mA, 500mA
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
500 V
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
25ns, 17ns
80ns, 40ns
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
