IR2112S vs IR2111S

Dieser detaillierte Vergleich von IR2112S und IR2111S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IR2112S

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
4810 Stückzahl
Series
Power Management (PMIC.Gate Drivers)
+Stückliste Anfrage
Part B

IR2111S

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
9682 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
PMIC-Treiber
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IR2112S IR2111S
Part Status Obsolete Obsolete
Base Product Number IR2112 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Driven Configuration High-Side, Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tube -
Logic Voltage - VILVIH - 8.3V, 12.6V
Current - Peak Output(Source Sink) - 250mA, 500mA
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 80ns, 40ns
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