IR2130S vs IR21362S Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IR2130S und IR21362S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2130S

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1260 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR21362S

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2756 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-28 SOIC-28
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Part Status Obsolete Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type 3-Phase 3-Phase
Number of Drivers 6 6
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 11.5V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA 200mA, 350mA
Input Type Inverting Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 35ns 125ns, 50ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IR2130S IR21362S

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