IR2130STRPBF vs IR2132STRPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IR2130STRPBF und IR2132STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2130STRPBF

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5860 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2132STRPBF

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3339 Stückzahl | Internationaler Gleichrichter
Paket SOIC-28 SOIC-28
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC IR2132S - GATE DRIVER
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type 3-Phase 3-Phase
Number of Drivers 6 6
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Input Type Inverting Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 35ns 80ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IR2130STRPBF IR2132STRPBF

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