IR2136S vs IR2130STR

Dieser detaillierte Vergleich von IR2136S und IR2130STR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2136S

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2739 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2130STR

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5242 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-28 SOIC-W-28
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
ProductStatus Obsolete Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType 3-Phase 3-Phase
NumberofDrivers 6 6
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 200mA, 350mA 250mA, 500mA
InputType Inverting Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 125ns, 50ns 80ns, 35ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IR2136S IR2130STR

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