IR2181S vs IR21814STRPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IR2181S und IR21814STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2181S

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1699 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR21814STRPBF

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2959 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Part Status Obsolete Active
Digi Key Programmable - Not Verified
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, MOSFET (N-Channel)
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH - 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink) - 1.9A, 2.3A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) - 40ns, 20ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number - IR21814
High Side Voltage - Max (Bootstrap) - 600 V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.7V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1.9A, 2.3A -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 40ns, 20ns -
Vergleichsmodell : IR2181S IR21814STRPBF

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