IR2181STRPBF vs IR21814STRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IR2181STRPBF und IR21814STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2181STRPBF

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2839 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR21814STRPBF

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2959 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Part Status - Active
DigiKey Programmable - Not Verified
Driven Configuration - Half-Bridge
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 2
Gate Type - IGBT, MOSFET (N-Channel)
Voltage - Supply - 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH - 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink) - 1.9A, 2.3A
Input Type - Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) - 40ns, 20ns
Operating Temperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - IR21814
High Side Voltage - Max (Bootstrap) - 600 V
ProductStatus Active -
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 10V ~ 20V -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.7V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A -
InputType Non-Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V -
Rise/FallTime(Typ) 40ns, 20ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : IR2181STRPBF IR21814STRPBF

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