IR2184PBF vs IR2181PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IR2184PBF und IR2181PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2184PBF

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1321 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2181PBF

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3824 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket PDIP-14 PDIP-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
ProductStatus Active Not For New Designs
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.7V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A 1.9A, 2.3A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 40ns, 20ns 40ns, 20ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : IR2184PBF IR2181PBF

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