IR2213S vs IR2213SPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IR2213S und IR2213SPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2213S

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6010 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2213SPBF

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3867 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-16 SOIC 16W
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Part Status Obsolete Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 12V ~ 20V 12V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2.5A 2A, 2.5A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 1200 V 1200 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IR2213S IR2213SPBF

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