IR25602STRPBF vs IR25602SPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IR25602STRPBF und IR25602SPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR25602STRPBF

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4146 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR25602SPBF

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3946 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Synchronous Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink) 210mA, 360mA 210mA, 360mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 100ns, 50ns 100ns, 50ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IR25602STRPBF IR25602SPBF

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