IRF1407PBF vs IRF1404PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF1407PBF und IRF1404PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF1407PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
3570 Stückzahl
Package
TO-220-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRF1404PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
2816 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRF1407PBF IRF1404PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Not For New Designs Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 130A (Tc) 202A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 7.8mOhm @ 78A, 10V 4mOhm @ 121A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 196 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5600 pF @ 25 V 5669 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) 333W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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