IRF7104TRPBF vs IRF7103Q
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7104TRPBF und IRF7103Q bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 P-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
50V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.3A
3A
RdsOn(Max)@IdVgs
250mOhm @ 1A, 10V
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
25nC @ 10V
15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
290pF @ 15V
255pF @ 25V
Power-Max
2W
2.4W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
