IRF7303TRPBF vs IRF7328PBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7303TRPBF und IRF7328PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7303TRPBF

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5181 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7328PBF

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5117 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SO-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.9A 8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V 78nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 520pF @ 25V 2675pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7303TRPBF IRF7328PBF

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