IRF7306TRPBF vs IRF7314PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7306TRPBF und IRF7314PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7306TRPBF

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9061 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7314PBF

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4374 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.6A 5.3A
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 1.8A, 10V 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 10V 29nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 440pF @ 25V 780pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7306TRPBF IRF7314PBF

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