IRF7306TRPBF vs IRF7316TR

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7306TRPBF und IRF7316TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7306TRPBF

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9061 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7316TR

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2147 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.6A 4.9A
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 1.8A, 10V 58mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 10V 34nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 440pF @ 25V 710pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7306TRPBF IRF7316TR

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