IRF7309TRPBF vs IRF7306TR

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7309TRPBF und IRF7306TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7309TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
5390 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

IRF7306TR

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
9561 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF7309TRPBF IRF7306TR
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A, 3A 3.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 520pF @ 15V 440pF @ 25V
Power - Max 1.4W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare Anfrage