IRF7304TRPBF vs IRF7313TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7304TRPBF und IRF7313TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7304TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6900 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Part B

IRF7313TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4931 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7304TRPBF	IRF7313TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Active
FET Type	2 P-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	4.3A	6.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs	90mOhm @ 2.2A, 4.5V	29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	700mV @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V	33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	610pF @ 15V	650pF @ 25V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage