IRF7317TRPBF vs IRF7307QTRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7317TRPBF und IRF7307QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Supplier
-
Infineon Technologies
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
N and P-Channel
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.6A, 5.3A
5.2A, 4.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
700mV @ 250µA
700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
27nC @ 4.5V
20nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 15V
660pF @ 15V
Power-Max
2W
2W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
