IRF7317TRPBF vs IRF7319PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7317TRPBF und IRF7319PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Discontinued at Digi-Key
FETType
N and P-Channel
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
30V
RdsOn(Max)@IdVgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
700mV @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
27nC @ 4.5V
33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 15V
650pF @ 25V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.6A, 5.3A
-
