IRF7317TRPBF vs IRF7329TR
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7317TRPBF und IRF7329TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
N and P-Channel
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
12V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.6A, 5.3A
9.2A
RdsOn(Max)@IdVgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
700mV @ 250µA
900mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
27nC @ 4.5V
57nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 15V
3450pF @ 10V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
