IRF7317TRPBF vs IRF7338TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7317TRPBF und IRF7338TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7317TRPBF

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2170 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7338TRPBF

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3216 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType N and P-Channel N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 12V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.6A, 5.3A 6.3A, 3A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 6A, 4.5V 34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 27nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 900pF @ 15V 640pF @ 9V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7317TRPBF IRF7338TRPBF

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