IRF7317TRPBF vs IRF7380TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7380TRPBF und IRF7317TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
80V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
3.6A
6.6A, 5.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
73mOhm @ 2.2A, 10V
29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
23nC @ 10V
27nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
660pF @ 25V
900pF @ 15V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
