IRF7342TRPBF vs IRF7343PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7342TRPBF und IRF7343PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7342TRPBF

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2396 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7343PBF

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2688 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOP-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 55V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.4A 4.7A, 3.4A
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 38nC @ 10V 36nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 690pF @ 25V 740pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7342TRPBF IRF7343PBF

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