IRF7404TRPBF vs IRF7473TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7473TRPBF und IRF7404TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.9A (Ta)
6.7A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
26mOhm @ 4.1A, 10V
40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
5.5V @ 250µA
700mV @ 250µA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
61 nC @ 10 V
50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
3180 pF @ 25 V
1500 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
