IRF7404TRPBF vs IRF7493TRPBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7493TRPBF und IRF7404TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
6.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
2.7V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
15mOhm @ 5.6A, 10V
40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1510 pF @ 25 V
1500 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Tc)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
