IRF7406TRPBF vs IRF7470TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7406TRPBF und IRF7470TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7406TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 1538 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRF7470TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7099 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF7406TRPBF	IRF7470TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	5.8A (Ta)	10A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	2.8V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	45mOhm @ 2.8A, 10V	13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	59 nC @ 10 V	44 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1100 pF @ 25 V	3430 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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