IRF7495TRPBF vs IRF7470TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7495TRPBF und IRF7470TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7495TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5805 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

Part B

IRF7470TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7099 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7495TRPBF	IRF7470TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	7.3A (Ta)	10A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	2.8V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	22mOhm @ 4.4A, 10V	13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V	44 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1530 pF @ 25 V	3430 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage