IRFB3207PBF vs IRFB3307ZPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB3207PBF und IRFB3307ZPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3207PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
2526 Stückzahl
Package
TO-220-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Specification IRFB3207PBF IRFB3307ZPBF
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 170A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V -
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
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