IRFB3607PBF vs IRFB3307PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB3607PBF und IRFB3307PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3607PBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
3175 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Spezialisierte ICs
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFB3307PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
7797 Stückzahl
Package
TO-220-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFB3607PBF IRFB3307PBF
Series - HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 75 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 130A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 6.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 180 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 5150 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 200W (Tc)
Operating Temperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type - Through Hole
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