IRFB4019PBF vs IRFB4510PBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRFB4510PBF und IRFB4019PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220-3
TO-220-3
Beschreibung
IRFB4510 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
-
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
62A (Tc)
17A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
13.5mOhm @ 37A, 10V
95mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 100µA
4.9V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
20 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
3180 pF @ 50 V
800 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
80W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
