IRFB4410ZPBF vs IRFB4127PBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRFB4410ZPBF und IRFB4127PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220
TO-220
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
97A (Tc)
76A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
9mOhm @ 58A, 10V
20mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 150µA
5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
150 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
4820 pF @ 50 V
5380 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)
375W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
