IRFP250NPBF vs IRFP264PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP264PBF und IRFP250NPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFP264PBF

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2754 Stückzahl | Vishay Siliconix
IRFP250NPBF

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1318 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-247-3 TO-247
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3 MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 250 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 38A (Tc) 30A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 75mOhm @ 23A, 10V 75mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 210 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5400 pF @ 25 V 2159 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 280W (Tc) 214W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Vergleichsmodell : IRFP264PBF IRFP250NPBF

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