IRFP250PBF vs IRFP27N60KPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP250PBF und IRFP27N60KPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP250PBF

Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 1442 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRFP27N60KPBF

Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 7102 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRFP250PBF	IRFP27N60KPBF
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	30A (Tc)	27A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	85mOhm @ 18A, 10V	220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V	180 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	2800 pF @ 25 V	4660 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	190W (Tc)	500W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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