IRFP450 vs IRFP4310ZPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP450 und IRFP4310ZPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP450

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
1863 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFP4310ZPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
3590 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFP450 IRFP4310ZPBF
Series PowerMESH™ II HEXFET®
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 14A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 380mOhm @ 7A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V 6860 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 190W (Tc) 280W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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